自產(chǎn)自銷(xiāo)IRFS7534TRLPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品IRFS7534TRLPBF
發(fā)布時(shí)間：2018/3/19
IRFS7534TRLPBF 介紹:
描述 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?，StrongIRFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 195A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 279nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 10034pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 294W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.4 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
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