安富利BSC017N04NSGATMA1晶體管 - FET，MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/3/22
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 30A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 85μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 108nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 8800pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.7 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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