安富利IPD90N06S4L05ATMA1晶體管 - FET，MOSFET - 單
發布時間：2018/3/22
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 Digi-Key 停止供應
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 60μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 8180pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 107W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.6 毫歐 @ 90A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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