安富利TK7J90E,S1E晶體管 - FET，MOSFET - 單
發布時間：2018/3/22
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 π-MOSVIII
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 900V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2 歐姆 @ 3.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3P（N）
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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