晶體管 - FET DMG3420U-7 MOSFET - 單
發布時間：2018/3/28
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.47A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 434.7pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 740mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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