分立半導體產品 IKW40N60H3FKSA1 晶體管
發布時間：2018/4/10
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IKW40N60H3FKSA1介紹；
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 52 周
詳細描述 IGBT Trench Field Stop 600V 80A 306W Through Hole PG-TO247-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值 306W
開關能量 1.68mJ
輸入類型 標準
柵極電荷 223nC
25°C 時 Td（開/關）值 19ns/197ns
測試條件 400V，40A，7.9 歐姆，15V
反向恢復時間（trr） 124ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 PG-TO247-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹；
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晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。