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SDRAM MT41J128M16JT-125:K TR 存儲器

發布時間:2018/4/11

MT41J128M16JT-125:K TR介紹;

描述 IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)

詳細描述 SDRAM - DDR3 存儲器 IC 2Gb (128M x 16) 并聯 800MHz 13.75ns 96-FBGA(8x14)

類別 集成電路(IC)

存儲器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態 在售

存儲器類型 易失

存儲器格式 DRAM

技術 SDRAM - DDR3

存儲容量 2Gb (128M x 16)

時鐘頻率 800MHz

寫周期時間 - 字,頁 -

訪問時間 13.75ns

存儲器接口 并聯

電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V

工作溫度 0°C ~ 95°C(TC)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 96-TFBGA

供應商器件封裝 96-FBGA(8x14)

基本零件編號 MT41J128M16


安富利(深圳)商貿有限公司介紹;

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按照與CPU的接近程度,存儲器分為內存儲器與外存儲器,簡稱內存與外存。內存儲器又常稱為主存儲器(簡稱主存),屬于主機的組成部分;外存儲器又常稱為輔助存儲器(簡稱輔存),屬于外部設備。CPU不能像訪問內存那樣,直接訪問外存,外存要與CPU或I/O設備進行數據傳輸,必須通過內存進行。在80386以上的高檔微機中,還配置了高速緩沖存儲器(cache),這時內存包括主存與高速緩存兩部分。對于低檔微機,主存即為內存。


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