存儲(chǔ)器 MT41K512M8RH-125 IT:E DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
MT41K512M8RH-125 IT:E介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲(chǔ)容量 4Gb （512M x 8）
時(shí)鐘頻率 800MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
訪問(wèn)時(shí)間 13.75ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 -40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA（9x10.5）
基本零件編號(hào) MT41K512M8
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構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)元，它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)（按字節(jié)編址）。
