存儲器MT40A4G4FSE-083E:A DRAM
發布時間：2018/4/12
MT40A4G4FSE-083E:A介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
零件狀態 停產
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM - DDR4
存儲容量 16Gb （4G x 4）
時鐘頻率 1.2GHz
寫周期時間 - 字，頁 -
存儲器接口 并聯
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.26 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個 晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現象，如果電荷不足會導致數據出錯，因此電容必須被周期性的 刷新（預充電），這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導致DRAM的頻率很容易達到上限，即便有先進工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進步，以及人們對 超頻的一種意愿，這些頻障也在慢慢解決。
