晶體管IRF7341 FET
發布時間：2018/4/12
IRF7341介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 4.7A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 50 毫歐 @ 4.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SO
基本零件編號 IRF7341PBF
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
