晶體管P36NF06FP FET
發布時間：2018/4/13
P36NF06FP介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET?? II
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 31nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 690pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 25W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3 整包
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
