晶體管 RTE002P02 FET
發布時間：2018/4/13
RTE002P02介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.5 歐姆 @ 200mA，4.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 EMT3
封裝/外殼 SC-75，SOT-416
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性 器件的美名。
