晶體管FDS7079ZN3 FET
發布時間：2018/4/16
FDS7079ZN3介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 停產
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 16A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 55nC @ 5V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3630pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.5 毫歐 @ 16A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器）。
