晶體管IRL3713STRLPBF MOSFET
發布時間：2018/5/2
IRL3713STRLPBF介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 260A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5890pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 330W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 毫歐 @ 38A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為P型）。
