晶體管 R5007ANJ MOSFET
發布時間：2018/5/16
R5007ANJ介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.05 歐姆 @ 3.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 LPTS
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同，可分為"N型"與"P型" 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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