晶體管 FQA140N10 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/5/22
FQA140N10介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 4 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 140A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 285nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 70A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。
