晶體管 HN1B01FU 雙極 (BJT) - 陣列
發布時間：2018/5/22
HN1B01FU介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
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零件狀態 在售
晶體管類型 NPN，PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 150mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 10mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，6V
功率 - 最大值 200mW
頻率 - 躍遷 120MHz
工作溫度 125°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 US6
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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