晶體管 FDD7N20 FET
發(fā)布時間：2018/5/25
FDD7N20介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 4 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 43W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 690 毫歐 @ 2.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管.所以稱之為單極型器件，而晶體管是既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件.
