MOSFET - 單 BSB044N08NN3 G 半導體產品
發布時間：2018/5/30
BSB044N08NN3 G介紹：
描述 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標準提前期 39 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 80V 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Ta），90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 97μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 73nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5700pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），78W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.4 毫歐 @ 30A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 MG-WDSON-2，CanPAK M?
封裝/外殼 3-WDSON
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結構上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構，晶體管內的各端點都離芯片表面只有幾個微米的距離。
