存儲(chǔ)器 IS46TR16128A-125KBLA1 DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/5/31
IS46TR16128A-125KBLA1介紹：
描述 IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 3（168 小時(shí)）
詳細(xì)描述 SDRAM - DDR3 存儲(chǔ)器 IC 2Gb （128M x 16） 并聯(lián) 800MHz 20ns 96-TWBGA（9x13）
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3
存儲(chǔ)容量 2Gb （128M x 16）
時(shí)鐘頻率 800MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁 15ns
訪問時(shí)間 20ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度 -40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-TWBGA（9x13）
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計(jì)算機(jī)在執(zhí)行某項(xiàng)任務(wù)時(shí)，僅將與此有關(guān)的程序和原始數(shù)據(jù)從磁盤上調(diào)入容量較小的內(nèi)存，通過CPU與內(nèi)存進(jìn)行高速的數(shù)據(jù)處理，然后將最終結(jié)果通過內(nèi)存再寫入磁盤。
