晶體管 AOT7S60L MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/1
AOT7S60L介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V TO220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 7A（Tc） 104W（Tc） TO-220
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 aMOS??
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 372pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 104W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 600 毫歐 @ 3.5A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
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集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。
