晶體管 SIHB6N65E-GE3 MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/1
SIHB6N65E-GE3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 78W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 600 毫歐 @ 3A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計算機電源中，主要用于開關(guān)電源。
晶體管也應(yīng)用于數(shù)字電路，主要功能是當(dāng)成電子開關(guān)。數(shù)字電路包括邏輯門、隨機存取內(nèi)存（RAM）和微處理器。
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