晶體管 RJH1CF4RDPQ-80#T2 UGBT
發布時間：2018/6/4
RJH1CF4RDPQ-80#T2介紹：
描述 IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 40A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.5V @ 15V，20A
功率 - 最大值 156.2W
開關能量 -
輸入類型 標準
25°C 時 Td（開/關）值 -
測試條件 -
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 TO-247
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管比電子管體積小很多，需要空間比電子管小很多，電器使用晶體管可以做的很小。晶體管，本名是半導體三極管，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。
