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MOSFET - 單 2N7008-G 半導(dǎo)體產(chǎn)品

發(fā)布時間:2018/6/6

2N7008-G介紹:
描述 MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 60V 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 散裝 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 230mA(Tj)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 7.5 歐姆 @ 500mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-92-3
封裝/外殼 TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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電話:0755-83259719

而IGFET的柵極絕緣層,有可能是其他物質(zhì),而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。
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