晶體管 NTD2955-1G 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/6/6
NTD2955-1G介紹：
描述 MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 17 周
詳細(xì)描述 通孔 P 溝道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） I-PAK
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 12A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 55W（Tj）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 180 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，在重要性方面可以與印刷術(shù)，汽車(chē)和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)（active）元件。
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