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晶體管 FQP3P50 MOSFET - 單

發布時間:2018/6/8

FQP3P50介紹:
描述 MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 12 周
詳細描述 通孔 P 溝道 500V 2.7A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 2.7A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 85W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4.9 歐姆 @ 1.35A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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