晶體管 IXFL40N110P MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/8
IXFL40N110P介紹：
描述 MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 1100V 21A（Tc） ISOPLUS264?
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET?，PolarP2?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 1100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 21A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 310nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 19000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 280 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 ISOPLUS264?
封裝/外殼 ISOPLUS264?
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。
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