晶體管 SVD5803NT4G MOSFET
發布時間：2018/6/12
SVD5803NT4G介紹：
描述 MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 36 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 40V 85A（Tc） 83W（Tc） DPAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 85A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3220pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.7 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術的進步，現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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