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晶體管 TN2425N8-G MOSFET - 單

發布時間:2018/6/13

TN2425N8-G介紹:

描述 MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)

制造商標準提前期 18 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 480mA(Tj) 1.6W(Tc) SOT-89-3

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Microchip Technology

系列 -

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 25V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 480mA(Tj)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 3.5 歐姆 @ 500mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.6W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-89-3

封裝/外殼 TO-243AA

安富利(深圳)商貿有限公司介紹:


公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,應用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發射極。

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