晶體管 IXTH40N30 MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/13
IXTH40N30介紹：
描述 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
詳細描述 通孔 N 溝道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 MegaMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 300V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 85 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 220nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247（IXTH）
封裝/外殼 TO-247-3
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溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
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