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晶體管 PMV213SN,215 MOSFET

發布時間:2018/6/13

PMV213SN,215介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 1.9A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 250 毫歐 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 330pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 280mW(Tj)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-236AB(SOT23)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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金氧半場效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而IGFET的柵極絕緣層,有可能是其他物質,而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。
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