晶體管 IXGA20N100 MOSFET - 單
發布時間：2018/6/14
IXGA20N100介紹：
描述 IGBT 1000V 40A 150W TO263
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 IGBT PT 1000V 40A 150W Surface Mount TO-263 (IXGA)
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 -
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零件狀態 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1000V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 80A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 3V @ 15V，20A
功率 - 最大值 150W
開關能量 3.5mJ（關）
輸入類型 標準
柵極電荷 73nC
25°C 時 Td（開/關）值 30ns/350ns
測試條件 800V，20A，47 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝 TO-263（IXGA）
基本零件編號 IXG*20N100
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晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
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