晶體管 FDMS7556S FET
發布時間：2018/6/14
FDMS7556S介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 35A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?，SyncFET??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 35A（Ta），49A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.2 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 133nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 8965pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），96W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-PQFN（5x6）
封裝/外殼 8-PowerTDFN
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
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