晶體管 2SK3430-AZ FET
發(fā)布時間：2018/6/14
2SK3430-AZ介紹：
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 40V 80A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 80A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.3 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 50nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta），84W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.
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