晶體管 SIHF6N40D-E3 FET
發(fā)布時間：2018/6/15
SIHF6N40D-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 18 周
詳細描述 通孔 N 溝道 400V 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 311pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管.
