晶體管 IRF7311PBF MOSFET - 陣列
發布時間：2018/6/15
IRF7311PBF介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6.6A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 900pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SO
基本零件編號 IRF7311PBF
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器）。
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