晶體管 DMP32D4S-7 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/19
DMP32D4S-7介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 300mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 300mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.4 歐姆 @ 300mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 51.16pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 370mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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