晶體管 STB16NF06LT4 MOSFET
發布時間：2018/6/20
STB16NF06LT4介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 16A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。
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