晶體管 SPB17N80C3 FET
發布時間：2018/6/20
SPB17N80C3介紹：
描述 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 17A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 290 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 177nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 227W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO263-3-2
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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與普通機械開關(如Relay、switch)不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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