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晶體管 TN2501N8-G FET

發布時間:2018/6/21

TN2501N8-G介紹:
描述 MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 18V 400mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 18V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 400mA(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,3V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 2.5 歐姆 @ 200mA,3V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-243AA(SOT-89)
封裝/外殼 TO-243AA
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換。
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