晶體管 RV2C001ZPT2L MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/22
RV2C001ZPT2L介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 10 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 100mA（Ta） 100mW（Ta） DFN1006-3（VML1006）
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 100mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.8 歐姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 15pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 100mW（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DFN1006-3（VML1006）
封裝/外殼 SC-101，SOT-883
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