晶體管 IXTA42N25P FET
發布時間：2018/6/26
IXTA42N25P介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 24 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 250V 42A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 PolarHT??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 42A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 84 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-263（IXTA）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。
晶體管也應用于數字電路，主要功能是當成電子開關。數字電路包括邏輯門、隨機存取內存（RAM）和微處理器。
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