晶體管 STP3N80K5 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/27
STP3N80K5介紹：
描述 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 通孔 N 溝道 800V 2.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH5??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.5 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V
Vgs（最大值） 30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 130pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
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金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。
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