晶體管 RQ1A070APTR FET
發布時間：2018/6/27
RQ1A070APTR介紹：
描述 MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 12V 7A（Ta） 550mW（Ta） TSMT8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 14 毫歐 @ 7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 80nC @ 4.5V
Vgs（最大值） -8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7800pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 550mW（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TSMT8
封裝/外殼 8-SMD，扁平引線
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
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