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晶體管 TP2640LG-G MOSFET- FET

發布時間:2018/6/28

TP2640LG-G介紹:
描述 MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 400V 86mA(Tj) 740mW(Ta) 8-SOIC
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 400V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 86mA(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 15 歐姆 @ 300mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 740mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料,但隨著半導體技術的進步,現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。金氧半場效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。
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