晶體管 TN2124K1-G 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2018/6/28
TN2124K1-G介紹：
描述 MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 240V 134mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 240V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 134mA（Tj）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 15 歐姆 @ 120mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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直到電壓增大到能引起一個電子電荷的變化時，才有電流通過。因此電流-電壓關(guān)系不是通常的直線關(guān)系，而是臺階形的。這個實驗在歷史上第一次實現(xiàn)了用人工控制一個電子的運動，為制造單電子晶體管提供了實驗依據(jù)。
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