晶體管 PUMH20 分立半導體產品
發布時間：2018/7/11
PUMH20介紹：
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
晶體管類型 2 個 NPN 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 2.2 千歐
電阻器 - 發射極基底（R2） 2.2 千歐
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 30 @ 20mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 1μA
頻率 - 躍遷 -
功率 - 最大值 300mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 6-TSSOP
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
