晶體管 TK31A60W MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/7/17
TK31A60W介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 600V 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
復(fù)制
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 30.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 88 毫歐 @ 15.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 86nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 300V
FET 功能 超級結(jié)
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220SIS
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設(shè)備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計一個等效的機械控制。
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