晶體管 - FET FDP8440 MOSFET
發布時間：2018/7/18
FDP8440介紹：
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 通孔 N 溝道 40V 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.2 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 450nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 24740pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 306W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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MOSFET在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流（DC）訊號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。
