晶體管 PMPB11EN 半導體產品
發布時間：2018/7/20
PMPB11EN介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 9A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 14.5 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20.6nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 840pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 6-DFN2020MD（2x2）
封裝/外殼 6-UDFN 裸露焊盤
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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雖然數以百萬計的單體晶體管還在使用，絕大多數的晶體管是和二極管|-{A|zh-cn:二極管；zh-tw:二極體}-，電阻，電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務的通用器件，例如數字計算。
